A. Taube, E. Kamińska, M. Kozubal, J. Kaczmarski, W. Wojtasiak, J. Jasiński, M.A. Borysiewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, M. Myśliwiec, E. Dynowska, A. Barcz, P. Prystawko, M. Zając, R. Kucharski, A. Piotrowska:
Ion Implantation for Isolation of AlGaN/GaN  HEMTs Using C or Al
Physica Status Solidi A, 212(5), 2015, 1162-1169. DOI: 10.1002/pssa.201431724

M. Leszczynski, P. Prystawko, P. Kruszewski, M. Sarzynski, J. Plesiewicz, J. Domagala, A. Gkanatsiou, C. Lioutas, N. Frangis, E. Polychroniadis:
Potentialities of AlGaN/GaN heterostructures grown on 2°-off 4H-SiC substrates
Materials Science Forum, 806, 2015, 73-80. DOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.806.73

A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, M. Juchniewicz, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakieła, E. Dynowska,  M. A. Borysiewicz,       P. Prystawko, J. Jasiński, P. Borowicz, E. Kamińska, A. Piotrowska:
High resistivity isolation for AlGaN/GaN  HEMT using Al double-implantation
Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1635 (2014) © 201 Materials Research Society.  DOI: 10.1557/opl.2014.220

P. Kruszewski, P. Prystawko, I. Kasalynas, A. Nowakowska-Siwińska, M. Krysko, J. Plesiewicz, J. Smalc-Koziorowska,            R. Dwilinski, M. Zajac, R. Kucharski, M. Leszczynski:
AlGaN/GaN HEMT structures on ammono bulk GaN substrate
Semiconductor Science and Technology, 29(7), 2014, 075004. DOI:10.1088/0268-1242/29/7/075004

V. Jakštas, I. Kašalynas, I. Šimkienė, V. Strazdienė, P. Prystawko, Leszczynski:
Schottky Diodes and High Electron Mobility Transistors of 2DEG AlGaN/GaN Structures on Sapphire Substrate
 Lithuanian Journal of Physics, 54(4), 2014, 227–232.

P. Kruszewski, P. Prystawko, I. Kasalynas, A. Nowakowska-Siwinska, M. Krysko, J. Plesiewicz, J. Smalc-Koziorowska, R. Dwilinski, M. Zajac, R. Kucharski, and M. Leszczynski:
AlGaN/GaN HEMT structures on ammono bulk GaN substrate
Semiconductor Science and Technology, 29, 2014, 075004. DOI:10.1088/0268-1242/29/7/075004

A. Gkanatsiou, C.B. Lioutas, N. Frangis, N. Chandran, E.K. Polychroniadis, P. Prystawko, M. Leszczynski:
TEM Study of AlGaN/GaN on Hexagonal SiC Substrates
Advanced Materials Research, 936, 2014, 656-660. DOI:10.4028/www.scientific.net/AMR.936.656

M. Leszczynski, P. Prystawko, P. Kruszewski, J. Plesiewicz:
Comparison of SiC and GaN Substrates Used for Epitaxy of HEMT Structures
Microwave Week Proceedings, Nuernberg 2013

M. Leszczynski, P. Prystawko, P. Kruszewski, A. Kafar, P. Perlin, J. Plesiewicz, I. Kasalynas, R. Dwiliński,
M. Iwińska, M. Zając, R. Kucharski, M. Bockowski, T. Suski:
Optoelectronic and electronic devices grown on low dislocated bulk GaN substrates
Wocsdice Proceedings, Warnemuende 2013