A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakieła, E. Dynowska, M.A. Borysiewicz, P. Prystawko, J. Jasiński, J. Szmidt, E. Kamińska, A. Piotrowska:
Wykorzystanie implantacji jonów do izolacji tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
IX Warsztaty Naukowe Centrum Studiów Zaawansowanych Politechniki Warszawskiej, 23-25 maja 2014 r.

A. Piotrowska:
Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN
Seminarium Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii (CEZAMAT), 5 czerwca 2014, Warszawa

A.Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, A. Barcz, J. Dyczewski, E. Dynowska, J. Jasiński, M.A. Borysiewicz, P. Prystawko,
E. Kamińska, A. Piotrowska:
Characterization of Ion Implanted AlGaN/GaN Epilayers for Planar Isolation of High Electron Mobility Transistors
43^rd „Jaszowiec” International School and Conference on the Physics of Semiconductors,
June 7-12, 2014, Wisła, Poland

P. Prystawko, M. Sarzyński, J. Kacperski, D. Crippa, P. Kruszewski, M. Leszczyński:
Nitride HEMT structures grown on 2^o‑off 4H-SiC substrates
17^th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVII), July 13-18, 2014, Lausanne, Switzerland

R. Stankiewicz:
GaN growth by Ammono-basic method
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), August 24-29, 2014, Wrocław, Poland

M. Zając, R. Kucharski, M. Iwińska, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, P. Kruszewski R. Kudrawiec, J. Serafińczuk, J. Krupka:
p-type GaN substrates obtained by ammonothermal method
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), August 24-29, 2014, Wrocław, Poland

P. Kruszewski:
Vertical Schottky Diodes Grown on Low-Dislocation Density Bulk GaN Substrate
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), August 24-29, 2014, Wrocław, Poland

P. Prystawko:
Nitride-based 2DEG structures on miscuted SiC substrates
The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), August 24-29, 2014, Wrocław, Poland

A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, E. Dynowska, W. Wojtasiak, J. Jasiński, M.A. Borysiewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, M. Myśliwiec, A. Barcz, P. Prystawko, R. Kucharski, M. Zając, E. Kamińska, A. Piotrowska:
Ion implantation for isolation of AlGaN/GaN HEMTs using C or Al
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), August 24-29, 2014, Wrocław, Poland

M. Zając, R. Kucharski, P. Kruszewski, P. Prystawko, M. Leszczyński, M. Ekielski, M. Juchniewicz, E. Kamińska, 
A. Piotrowska, A. Taube, W. Wojtasiak, P. Kopyt, J. Krupka:
Progress on highly resistive GaN substrates grown by ammonothermal method
7^th Wide Band Gap Semiconductor & Components Workshop, September 11-12, 2014, Frascati, Italy.

A. Piotrowska:
Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN
Posiedzenie plenarne Komitetu Elektroniki i Telekomunikacji PAN, Warszawa, 24 października 2014 r.

R. Dwiliński, R. Doradziński, L. Sierzputowski, M. Zając, R. Kucharski:
Bulk GaN substrates grown by ammonothermal method
ISPlasma 2013, 5^th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 28.01-1.02.2013, Nagoya University, Japonia

M. Leszczynski,^, P. Prystawko, P.A. Kruszewski, P. Kafar, P. Perlin, J. Plesiewicz,  I. Kasalynas, R. Dwiliński,
M. Iwińska, M. Zając, R. Kucharski, M. Bockowski, T. Suski:
Optoelectronic and electronic devices grown on low dislocated bulk gaN substrates
WOCSDICE 2013, 37^th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, 26-29.05.1013, Warnemünde, Niemcy

R. Dwiliński, R. Doradziński, L. Sierzputowski, M. Zając, M. Iwińska, R. Kucharski:
Ammonothermal growth of GaN substrates
ICCGE-17 - 17^th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, 11-16.08.2013, Warszawa

R. Doradziński, M. Zając, M. Iwińska, R. Kucharski, R. Dwiliński, L. Sierzputowski, P. Kruszewski,
P. Prystawko, M. Leszczyński, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, J. Krupka, M. Juchniewicz,
E. Kamińska, A. Piotrowska, A. Taube, W. Wojtasiak, P. Kopyt:
Highly resistive AMMONO-GaN substrates for microwave transistors
ICNS-10, 10^th International Conference on Nitride Semiconductors, 25-30.08.2013, Washington DC, USA

P. Kruszewski, P. Prystawko, I. Kasalynas, J. Plesiewicz, R. Dwilinski, M. Zając, R. Kucharski, M. Leszczynski:
AlGaN/GaN HEMT grown on bulk ammonothermal GaN substrate
ICNS-10, 10^th International Conference on Nitride Semiconductors, 25-30.08.2013, Washington DC, USA

R. Dwiliński, R. Doradziński, L. Sierzputowski, M. Zając, M. Iwińska, R. Kucharski:
Bulk GaN substrates grown by ammonothermal method
DRIP XV, 15^th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, 15-19.09.2013, Warszawa

A. Taube, J. Kaczmarski, P .Kopyt, W. Wojtasiak, M. Sochacki, P. Prystawko, W. Gwarek, Z. Żytkiewicz, E. Kamińska,
A. Piotrowska:
Modeling and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Fall Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS), 16-20.09.2013, Warszawa

R. Stankiewicz, R. Dwiliński:
Ammonothermal growth of GaN crystals
2^nd Berlin "WideBaSe" Conference on Technology and Applications of Nitride Semiconductors, 19-20.09.2013, Berlin-Köpenick, Niemcy

R. Doradziński, M. Zając, M. Iwińska, R. Kucharski, R. Dwiliński, L. Sierzputowski, P. Kruszewski, P. Prystawko,
M. Leszczyński, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, J. Krupka, M. Juchniewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, A. Taube,
W. Wojtasiak, P. Kopyt:
Progress on purity of conductive and highly resistive GaN substrates grown by ammonothermal method
IWBNS-VIII, 8^th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, 30.09.-05.10.2013, Kloster Seen, Bayern, Niemcy

R. Dwiliński, M. Iwińska, R. Doradziński, L. Sierzputowski, R. Kucharski, M. Zając, P. Kruszewski, P. Prystawko,
M. Leszczyński, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, J. Krupka, M. Juchniewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, A. Taube,
W. Wojtasiak, P. Kopyt:
Highly resistive GaN substrates for high frequency electronics
European Microwave Week, European Microwave Conference 2013, 8-10.10.2013, Nürnberg, Niemcy

M. Leszczyński:
Comparison of SiC and GaN Substrates Used for Epitaxy of HEMT Structures
European Microwave Week, European Microwave Conference 2013, 8-10.10.2013, Nürnberg, Niemcy

M. Zając:
Metoda amonotermalna – od monokryształów GaN do urządzeń półprzewodnikowych,
Seminarium Zakładu Fizyki Ciała Stałego, Uniwersytet Warszawski, 22.11.2013, Warszawa.

A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, M. Juchniewicz, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakieła, E. Dynowska, M.A. Borysiewicz,  
P. Prystawko, J. Jasiński, P. Borowicz, E. Kamińska, A. Piotrowska:
High resistivity isolation for AlGaN/GaN HEMT using Al double-implantation
2013 MRS Fall Meeting & Exhibit, 1-6.12.2013, Boston, Massachusetts, USA.