Cel projektu

Tranzystor na pasmo S (do 4 GHz) na podłożu 1,5'' mono-GaN

                            Cela tranzystora                                                Moduł tranzystora   
                     

                                  Prąd nasycenia I_Dsat    (V_DS = 5 V,  V_GS = 0 V)                        2,5  A
                              Napięcie przebicia V_DSBR                                                          > 70 V
                              Pasmo                                                                                        do  4 GHz

                              Pojemność wejściowa  C_GS                                                     ≤ 5  pF
                              Pojemność wyjściowa C_DS                                                       ≤ 1 pF
                              Moc wyjściowa P_1dB    (U_DS = 28 V,   I_DQ = 100 mA)             12 W       
                              Wzmocnienie małosygnałowe G_SS                                         14 dB
                              Maksymalny prąd bramki I_Gmax                                             ≤ 4 mA
                              Rezystancja termiczna (flange-channel) R_thj-c                  5,5 ^oC/W
                              Maksymalna temperatura złącza T_j                                                      200^oC