Opis projektu

Celem projektu jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S wykorzystującego struktury AlGaN/GaN hodowane na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN.

Podłoża GaN o średnicy do 1.5 cala wytwarzane będą metodą ammonotermalną. Do wzrostu heterostruktur HEMT zostaną zastosowane dwie techniki – MOVPE i MBE. Zoptymalizowanych zostanie szereg modułów technologicznych, m.in. definiowanie aktywnego obszaru struktury, trawienia RIE/ICP obszarów podkontaktowych i podbramkowych, wytwarzanie przepustów typu via poprzez podłoże. Szczególna uwaga poświęcona będzie zagadnieniom związanym z niezawodnością.

Końcowym celem projektu jest zademonstrowanie tranzystora o mocy wyjściowej 10 W działającego w paśmie 4 GHz.

Projekt Pol-HEMT finansowany jest przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju na podstawie umowy PBS1/A3/9/2012. 
Czas realizacji:  1.11.2012  -  30.04.2016